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IGW40N60H3FKSA1  与  IKW40N60H3  区别

型号 IGW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3
唯样编号 A-IGW40N60H3FKSA1 A-IKW40N60H3
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
电流-集电极脉冲(Icm) 160A -
功率 - 306W
宽度 - 5.31mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 160A
IGBT 类型 - 沟槽型场截止
IGBT类型 沟槽型场截止 -
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 80A
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,40A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.4V @ 15V,40A
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 1.68mJ 1.68mJ
在25 C的连续集电极电流 - 80A
长度 - 15.87mm
测试条件 400V,40A,7.9 欧姆,15V 400V,40A,7.9 欧姆,15V
高度 - 20.7mm
栅极电荷 223nC -
反向恢复时间(trr) - 124ns
功率-最大值 306W -
输入类型 标准 标准
25°C时Td(开/关)值 19ns/197ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A -
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
系列 - HighSpeed3
25°C 时 Td(开/关)值 - 19ns/197ns
集电极—射极饱和电压 - 1.95V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGW40N60H3FKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW40N60H3_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 24,000 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

¥10.395 

阶梯数 价格
5: ¥10.395
10: ¥8.668
30 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
AUIRGP4063D Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 330W TO-247AC 车规

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IKW40N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW40N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 306W

暂无价格 0 对比

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