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IGW40N60H3FKSA1  与  AUIRGP4063D  区别

型号 IGW40N60H3FKSA1 AUIRGP4063D
唯样编号 A-IGW40N60H3FKSA1 A-AUIRGP4063D
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 功率MOSFET
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3 AUIRGP4063D Series 600 V 96 A N-Channel IGBT Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 160A -
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 144A
产品特性 - 车规
IGBT 类型 - 沟道
IGBT类型 沟槽型场截止 沟道
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 144A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247AC
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,40A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 1.9V @ 15V,48A
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
开关能量 1.68mJ 625µJ(开),1.28mJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 1.9V @ 15V,48A
测试条件 400V,40A,7.9 欧姆,15V 400V,48A,10 欧姆,15V
25°C时Td(开/关)值 - 60ns/145ns
栅极电荷 223nC -
反向恢复时间(trr) - 115ns
功率-最大值 306W -
输入类型 标准 标准
Pd-功率耗散(Max) - 330W
25°C时Td(开/关)值 19ns/197ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A -
25°C 时 Td(开/关)值 - 60ns/145ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGW40N60H3FKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW40N60H3_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 24,000 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

¥10.395 

阶梯数 价格
5: ¥10.395
10: ¥8.668
30 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
AUIRGP4063D Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 330W TO-247AC 车规

暂无价格 0 对比
IKW40N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW40N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 306W

暂无价格 0 对比

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