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IGB20N60H3ATMA1  与  IRG4BC40W-STRRP  区别

型号 IGB20N60H3ATMA1 IRG4BC40W-STRRP
唯样编号 A-IGB20N60H3ATMA1 A-IRG4BC40W-STRRP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 80A -
功率 - 160W
宽度 - 9.65mm(Max)
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 160A
IGBT类型 沟槽型场截止 -
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 40A
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,20A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.5V @ 15V,20A
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 690uJ 110µJ(开),230µJ(关)
长度 - 10.67mm(Max)
测试条件 400V,20A,14.6 欧姆,15V 480V,20A,10 欧姆,15V
高度 - 4.83mm(Max)
栅极电荷 120nC -
功率-最大值 170W -
输入类型 标准 标准
25°C时Td(开/关)值 16ns/194ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 40A -
25°C 时 Td(开/关)值 - 27ns/100ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGB20N60H3ATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB20N60H3_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STGB19NC60HDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
STGB19NC60HDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRG4BC40W-STRRP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

160W -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IKB20N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKB20N60H3ATMA1_170W -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比
STGB19NC60HDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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