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IGB20N60H3ATMA1  与  IKB20N60H3  区别

型号 IGB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3
唯样编号 A-IGB20N60H3ATMA1 A-IKB20N60H3
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
电流-集电极脉冲(Icm) 80A -
栅极电荷 120nC -
功率 - 170W
功率-最大值 170W -
输入类型 标准 -
IGBT类型 沟槽型场截止 -
25°C时Td(开/关)值 16ns/194ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 40A -
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,20A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C
配置 - Single
系列 - HighSpeed3
开关能量 690uJ -
在25 C的连续集电极电流 - 40A
测试条件 400V,20A,14.6 欧姆,15V -
集电极—射极饱和电压 - 1.95V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGB20N60H3ATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB20N60H3_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
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