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IGB10N60TATMA1  与  STGB10NC60KDT4  区别

型号 IGB10N60TATMA1 STGB10NC60KDT4
唯样编号 A-IGB10N60TATMA1 A3-STGB10NC60KDT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 IGBT 600V 20A 65W D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 30A -
栅极电荷 62nC -
功率-最大值 110W -
输入类型 标准 -
IGBT类型 NPT,沟槽型场截止 -
25°C时Td(开/关)值 12ns/215ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 20A -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.05V @ 15V,10A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -
开关能量 430uJ -
测试条件 400V,10A,23 欧姆,15V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGB10N60TATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60T_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STGB10NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

¥5.874 

阶梯数 价格
9: ¥5.874
19 对比
STGB10NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRG4BH20K-SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

60W -55°C ~ 150°C(TJ) 10.67*9.65*4.83mm

暂无价格 0 对比
STGB10NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRG4BH20K-STRLP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

60W -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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