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IGB10N60TATMA1  与  IRG4BH20K-SPBF  区别

型号 IGB10N60TATMA1 IRG4BH20K-SPBF
唯样编号 A-IGB10N60TATMA1 A-IRG4BH20K-SPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 Infineon IRG4BH20K-SPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 30A -
功率 - 60W
宽度 - 9.65mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 22A
IGBT类型 NPT,沟槽型场截止 -
引脚数目 - 3
最大连续集电极电流 - 11 A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 1200V
栅极电压Vgs - ±20V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 11A
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 10.67*9.65*4.83mm
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.05V @ 15V,10A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 4.3V @ 15V,5A
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 430uJ 450µJ(开),440µJ(关)
长度 - 10.67mm
最大集电极-发射极电压 - 1200 V
测试条件 400V,10A,23 欧姆,15V 960V,5A,50 欧姆,15V
高度 - 4.83mm
栅极电荷 62nC -
功率-最大值 110W -
输入类型 标准 标准
晶体管配置 -
25°C时Td(开/关)值 12ns/215ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 20A -
FET类型 - N-Channel
25°C 时 Td(开/关)值 - 23ns/93ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGB10N60TATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60T_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
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