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HGTG11N120CND  与  SKW25N120  区别

型号 HGTG11N120CND SKW25N120
唯样编号 A-HGTG11N120CND A-SKW25N120
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 HGTG11N120CND Series 1200 V 43 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极(Ic)(最大值) 43A -
功率 298W -
宽度 - 5.16mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A -
IGBT 类型 NPT -
IGBT类型 NPT -
电压-集射极击穿(最大值) 1200V -
脉冲电流-集电极(Icm) 80A -
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V -
集电极最大连续电流 Ic - 46A
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 43A -
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-247 Tube
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,11A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C
配置 - Single
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,11A -
开关能量 950µJ(开),1.3mJ(关) -
长度 - 16.03mm
测试条件 960V,11A,10 欧姆,15V -
高度 - 21.1mm
25°C时Td(开/关)值 23ns/180ns -
反向恢复时间(trr) 70ns -
Pd-功率耗散(Max) 298W -
输入类型 标准 -
集电极—发射极最大电压 VCEO - 1200V
系列 - SKW25N120
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/180ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
HGTG11N120CND ON Semiconductor IGBT晶体管

-55°C~150°C(TJ) TO-247 298W -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
SKW25N120FKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

SKW25N120_TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SKW25N120 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

SKW25N120FKSA1_Tube -55°C ~ 150°C

暂无价格 0 对比

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