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G3R75MT12K  与  SCT3080KRC14  区别

型号 G3R75MT12K SCT3080KRC14
唯样编号 A-G3R75MT12K A3-SCT3080KRC14
制造商 GENESIC ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 18V
FET 类型 - N 通道
封装/外壳 TO-247-4 TO-247-4
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) - 104 毫欧 @ 10A,18V
Vgs(最大值) - +22V,-4V
工作温度 - 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss) - 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) - 31A(Tc)
功率耗散(最大值) - 165W
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 5mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 785pF @ 800V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 18V
库存与单价
库存 0 350
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
G3R75MT12K GENESIC  数据手册 通用MOSFET

TO-247-4

暂无价格 0 当前型号
SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-4

¥26.9505 

阶梯数 价格
240: ¥26.9505
29,280 对比
SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-4

¥185.5632 

阶梯数 价格
1: ¥185.5632
3: ¥142.6628
4: ¥137.3063
5: ¥134.0866
9: ¥128.3659
10: ¥127.6568
20: ¥124.4371
30: ¥123.3639
420 对比
SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-4

¥185.5632 

阶梯数 价格
1: ¥185.5632
3: ¥142.6628
4: ¥137.3063
5: ¥134.0866
9: ¥128.3659
10: ¥127.6568
20: ¥124.4371
30: ¥123.3639
390 对比
SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-4

暂无价格 350 对比

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