FQU2N60CTU 与 SIHFUC20-GE3 区别
| 型号 | FQU2N60CTU | SIHFUC20-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FQU2N60CTU | A3t-SIHFUC20-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | N-Channel 600 V 4.7 Ohm Through Hole Power Mosfet - IPAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7Ω@950mA,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),44W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | IPAK | - |
| 连续漏极电流Id | 1.9A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | QFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQU2N60CTU | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHFUC20-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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