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FQPF3N80C  与  R8002ANX  区别

型号 FQPF3N80C R8002ANX
唯样编号 A-FQPF3N80C A33-R8002ANX
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FQPF3N80C Series 800 V 3 A 4.8 Ohm N-Channel QFET Mosfet - TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8 Ohms@1.5A,10V 4.3Ω@1A,10V
上升时间 - 20ns
漏源极电压Vds 800V 800V
Pd-功率耗散(Max) 39W(Tc) 35W
Qg-栅极电荷 - 12.7nC
栅极电压Vgs ±30V 30V
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220F-3 TO-220FP-3
连续漏极电流Id 3A 2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 QFET® R8002ANX
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 705pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 70ns
典型接通延迟时间 - 17ns
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥12.5913
50+ :  ¥8.0493
100+ :  ¥7.4839
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQPF3N80C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Tc) ±30V 39W(Tc) 4.8 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 800V 3A TO-220F-3

暂无价格 0 当前型号
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20: ¥12.5913
50: ¥8.0493
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20: ¥12.5913
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