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FQD13N10LTM  与  IRLR120NPBF  区别

型号 FQD13N10LTM IRLR120NPBF
唯样编号 A-FQD13N10LTM-1 A-IRLR120NPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 10 A 180 mOhm QFET® Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 185mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 48W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252(DPAK) D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQD13N10LTM ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252(DPAK)

暂无价格 0 当前型号
IRLR120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

185mΩ@6A,10V ±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 10A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak

暂无价格 0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428 N-Channel 89W 175℃ 3V 100V 21.7A

¥5.6376 

阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 对比

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