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FDV305N  与  IRLML2402TRPBF  区别

型号 FDV305N IRLML2402TRPBF
唯样编号 A-FDV305N A33-IRLML2402TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 220 mOhm SMT PowerTrench Mosfet - SOT-23-3 Single N-Channel 20 V 540 W 2.6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220m Ohms@900mA,4.5V 250mΩ@930mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 0.9A 1.2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 109pF @ 10V 110pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 4.5V 3.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 5,900
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥1.4949
500+ :  ¥1.4949
1,000+ :  ¥1.4853
2,000+ :  ¥1.4853
4,000+ :  ¥1.4662
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDV305N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 75,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
14,661 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,850 对比
IRLML2402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.4949 

阶梯数 价格
110: ¥1.4949
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4853
2,000: ¥1.4853
4,000: ¥1.4662
5,900 对比

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