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FDV303N  与  BSH103,215  区别

型号 FDV303N BSH103,215
唯样编号 A-FDV303N A36-BSH103,215
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor-SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 350mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -
漏源极电压Vds 25V 30V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 0.5W
输出电容 - 27pF
栅极电压Vgs ±8V 8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id 680mA(Ta) -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
输入电容 - 83pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.3nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 15,836
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.7007
200+ :  ¥0.5343
1,500+ :  ¥0.4641
3,000+ :  ¥0.4108
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥0.5278 

阶梯数 价格
100: ¥0.5278
200: ¥0.3393
1,500: ¥0.2951
3,000: ¥0.2613
27,000 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH103_SOT23

¥0.7007 

阶梯数 价格
80: ¥0.7007
200: ¥0.5343
1,500: ¥0.4641
3,000: ¥0.4108
15,836 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH103_SOT23

¥1.1254 

阶梯数 价格
10: ¥1.1254
100: ¥0.8336
1,000: ¥0.6462
1,500: ¥0.5297
3,000: ¥0.4772
15,270 对比
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