FDV303N 与 DMN3730U-7 区别
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规格信息
型号	FDV303N	DMN3730U-7
唯样编号	A-FDV303N	A3-DMN3730U-7
制造商	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	小信号MOSFET	小信号MOSFET
描述	N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3	N-Channel 30 V 460 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表	ON-FDV303N.pdf	DMN3730U-7.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	350mW(Ta)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	450 毫欧 @ 500mA,4.5V	460mΩ@200mA,4.5V
漏源极电压Vds	25V	30V
Pd-功率耗散(Max)	350mW(Ta)	450mW(Ta)
栅极电压Vgs	±8V	±8V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	SOT-23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	680mA(Ta)	0.94A
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	50pF @ 10V	64.3pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	2.3nC @ 4.5V	1.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.7V,4.5V	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	50pF @ 10V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	2.3nC @ 4.5V	-
库存与单价
库存	57,000	0
工厂交货期	3 - 5天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDV303N	ON Semiconductor	数据手册	小信号MOSFET	±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	暂无价格	57,000	当前型号
BSH103,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V	暂无价格	3,270	对比
BSH103,235	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V	暂无价格	0	对比
DMN3730U-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A	暂无价格	0	对比
DMN3730U-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A	暂无价格	0	对比