FDV303N 与 BSH103,215 区别
| 型号 | FDV303N | BSH103,215 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDV303N | A-BSH103,215 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 | BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor-SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 350mW(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 25V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW(Ta) | 0.5W |
| 输出电容 | - | 27pF |
| 栅极电压Vgs | ±8V | 8V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C |
| 连续漏极电流Id | 680mA(Ta) | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V | - |
| 输入电容 | - | 83pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.3nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.7V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.3nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 57,000 | 3,270 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 57,000 | 当前型号 |
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BSH103,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V |
暂无价格 | 3,270 | 对比 |
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BSH103,235 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A |
暂无价格 | 0 | 对比 |