FDT86102LZ 与 AUIRLL024ZTR 区别
| 型号 | FDT86102LZ | AUIRLL024ZTR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDT86102LZ | A-AUIRLL024ZTR |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 6.6 A 28 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@3A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | SOT223 |
| 连续漏极电流Id | - | 5A(Ta) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 380pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDT86102LZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AUIRLL024ZTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 5A(Ta) ±16V 1W(Ta) 60mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT223 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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