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FDS8896  与  IRF7463TRPBF  区别

型号 FDS8896 IRF7463TRPBF
唯样编号 A-FDS8896 A-IRF7463TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 6 mOhm SMT PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@15A,10V 8mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 15A 14A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2525pF @ 15V 3150pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 67nC @ 10V 51nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.7V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3150pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8896 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥2.024 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.024
5,000: ¥1.862
10,000: ¥1.7129
15,000 对比
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥3.6646 

阶梯数 价格
1: ¥3.6646
25: ¥3.1592
100: ¥2.7234
500 对比
IRF7458TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
12 对比
IRF7455 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7463TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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