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FDS8880  与  IRF7805  区别

型号 FDS8880 IRF7805
唯样编号 A-FDS8880 A-IRF7805
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 10 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10m Ohms@11.6A,10V 11mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V 12V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.6nC
封装/外壳 8-SOIC SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 11.6A 10A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1235pF @ 15V -
QG - 22.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.42
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8880 ON Semiconductor 功率MOSFET

11.6A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 10m Ohms@11.6A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 11.6A 8-SOIC

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