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FDS8878  与  DMN4800LSS-13  区别

型号 FDS8878 DMN4800LSS-13
唯样编号 A-FDS8878 A36-DMN4800LSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 14 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14m Ohms@10.2A,10V 16mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.46W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOP
连续漏极电流Id 10.2A 8.6A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 897pF @ 15V 798pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 9.47nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 2,445
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9691
100+ :  ¥0.7458
1,250+ :  ¥0.6314
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8878 ON Semiconductor 功率MOSFET

10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
4,688 对比
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.55W(Ta) ±12V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 11A(Ta)

¥1.0934 

阶梯数 价格
50: ¥1.0934
100: ¥0.8415
1,250: ¥0.7117
2,500: ¥0.66
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
500: ¥2.4627
1,000: ¥2.3861
2,000: ¥2.3286
2,500 对比
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.46W(Ta) 16mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 8.6A

¥0.9691 

阶梯数 价格
60: ¥0.9691
100: ¥0.7458
1,250: ¥0.6314
2,445 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
500: ¥2.4627
1,000: ¥2.3861
2,000: ¥2.3286
2,020 对比

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