FDS8878 与 RS3E135BNGZETB 区别
| 型号 | FDS8878 | RS3E135BNGZETB | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-FDS8878 | A33-RS3E135BNGZETB | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 14 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14m Ohms@10.2A,10V | 14.6mΩ@9.5A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2W(Tc) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.2A | 9.5A(Ta) | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 897pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 680pF @ 15V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.3nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDS8878 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7807ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.8mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4410DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 10A(Ta) 13.5mΩ@10A,10V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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