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FDS8870  与  IRF7834PBF  区别

型号 FDS8870 IRF7834PBF
唯样编号 A-FDS8870 A-IRF7834PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 112 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2m Ohms@18A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3710pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 18A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 4.5V
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4615pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 112nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.5 毫欧 @ 19A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 19A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8870 ON Semiconductor 通用MOSFET

18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.2m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 18A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF7834PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AO4488L_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Ta) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRF7834TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.5mΩ@19A,10V N-Channel 30V 19A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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