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FDS8842NZ  与  DMN3007LSS-13  区别

型号 FDS8842NZ DMN3007LSS-13
唯样编号 A-FDS8842NZ A3-DMN3007LSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 7 Ohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7m Ohms@14.9A,10V 7mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOP
连续漏极电流Id 14.9A 16A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3845pF @ 15V 2714pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V 64.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8842NZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

暂无价格 0 对比
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

暂无价格 0 对比
FDS8878 ON Semiconductor 功率MOSFET

10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥14.7378 

阶梯数 价格
20: ¥14.7378
50: ¥10.1957
100: ¥9.6304
300: ¥9.2566
500: ¥9.18
1,000: ¥9.1225
1,604 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 160 对比

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