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FDS8813NZ  与  IRF8736TRPBF  区别

型号 FDS8813NZ IRF8736TRPBF
唯样编号 A-FDS8813NZ A32-IRF8736TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 4.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 N-Channel 30 V 4.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5m Ohms@18.5A,10V 4.8mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 18.5A 18A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4145pF @ 15V 2315pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V 26nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2315pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 96
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.6367
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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