FDS8638 与 RS6G100BGTB1 区别
| 型号 | FDS8638 | RS6G100BGTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-FDS8638 | A32-RS6G100BGTB1-1 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 40 V 4.3 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 59W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 18A | 100A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5680pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 4.3m Ohms@18A,10V | 3.4mΩ@90A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDS8638 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.3m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 18A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDS8878 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥13.6818
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.0525
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2,500 | 对比 |
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