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FDS86141  与  AO4292E  区别

型号 FDS86141 AO4292E
唯样编号 A-FDS86141 A3-AO4292E
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDS86141 Series 100 V 7 A 23 mOhm SMT N-Ch PowerTrench® MOSFET - SO-8 Single - N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 6.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 23m Ohms@7A,10V 23mΩ@8A,10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 33mΩ
Qgd(nC) - 2.5
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 7A 8A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 1200
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 20
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 80
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 934pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V -
Coss(pF) - 93
Qg*(nC) - 8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥5.4906
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS86141 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7A 8-SOIC

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SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

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30: ¥2.068
100: ¥1.65
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SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

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3,000: ¥2.6864
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阶梯数 价格
6: ¥25.403
10: ¥15.0636
30: ¥11.2881
50: ¥10.5311
100: ¥9.9562
300: ¥9.5824
500: ¥9.5058
1,000: ¥9.4483
1,980 对比

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