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FDS86140  与  IRF7854TRPBF  区别

型号 FDS86140 IRF7854TRPBF
唯样编号 A-FDS86140 A-IRF7854TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 2.5 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.8m Ohms@11.2A,10V 13.4mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 11.2A 10A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2580pF @ 50V 1620pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1620pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS86140 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AOSP66923 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.134 

阶梯数 价格
30: ¥2.134
100: ¥1.716
750: ¥1.529
1,500: ¥1.441
3,000: ¥1.375
3,368 对比
IRF7853TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.62 

阶梯数 价格
20: ¥4.62
100: ¥3.3033
100 对比
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.785 

阶梯数 价格
20: ¥4.785
100: ¥3.993
100 对比
IRF7853TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7854TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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