FDS86106 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | FDS86106 | RS6P100BHTB1 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS86106 | A33-RS6P100BHTB1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@3.4A,10V | 5.9mΩ@90A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta) | 104W | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.4A | 100A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 208pF @ 50V | - | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4nC @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,960 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS86106 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.4A(Ta) ±20V 5W(Ta) 105mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 3.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
|
1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
|
97 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.2013
|
95 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
