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FDS86106  与  RS6P060BHTB1  区别

型号 FDS86106 RS6P060BHTB1
唯样编号 A-FDS86106 A-RS6P060BHTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@3.4A,10V 10.6mΩ@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 5W(Ta) 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 3.4A 60A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 208pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 95
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS86106 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3.4A(Ta) ±20V 5W(Ta) 105mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 3.4A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥26.4283 

阶梯数 价格
6: ¥26.4283
10: ¥17.0951
30: ¥12.8021
50: ¥11.9493
100: ¥11.2977
300: ¥10.8761
500: ¥10.7898
1,000: ¥10.7228
1,960 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

暂无价格 50 对比

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