FDS6690A 与 DMS3015SSS-13 区别
| 型号 | FDS6690A | DMS3015SSS-13 | ||||||
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| 唯样编号 | A-FDS6690A | A36-DMS3015SSS-13 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.5mΩ@11A,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 1.55W(Ta) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 11.9mΩ@11A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1276 pF @ 15 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 30.6 nC @ 10 V | ||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 11A | 11A(Ta) | ||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,788 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8448
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22,734 | 对比 | ||||||||||
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DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 10.3A(Ta) |
￥1.43
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4,893 | 对比 | ||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.46W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8A(Ta) |
￥1.265
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4,287 | 对比 | ||||||||||
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DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.55W(Ta) ±12V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 11A(Ta) |
￥1.43
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1,788 | 对比 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.6128
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269 | 对比 |
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