FDS6690A 与 IRF8707GTRPBF 区别
| 型号 | FDS6690A | IRF8707GTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS6690A-3 | A-IRF8707GTRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | N沟道,30V,11A,11.9mΩ@10V |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.5mΩ@11A,10V | 17.5mΩ |
| 引脚数目 | - | 8 |
| 最小栅阈值电压 | - | 1.35V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 封装/外壳 | SO-8 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 11A | 11A |
| 长度 | - | 5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 760pF @ 15V |
| 高度 | - | 1.50mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 7.3 ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 2.5W |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | - | HEXFET |
| 典型接通延迟时间 | - | 6.7 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.3nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 10,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 当前型号 | ||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||
|
|
AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
|
0 | 对比 | ||||
|
SI4410DYPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 10A 14mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.46W(Ta) 16mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 8.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AUIRF7805QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 13A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 11mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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