FDS6680A 与 DMN3010LSS-13 区别
| 型号 | FDS6680A | DMN3010LSS-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS6680A | A36-DMN3010LSS-13 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 9.5 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet -SOIC-8 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOP | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 12.5A | 16A | ||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1620pF @ 15V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 5V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 9.5m Ohms@12.5A,10V | 9mΩ@16A,10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2096pF @ 15V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 43.7nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,468 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDS6680A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.2733
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2,600 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@16A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A |
￥2.388
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2,468 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.9733
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1,142 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 33 | 对比 |
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