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FDS6612A  与  DMN3025LSS-13  区别

型号 FDS6612A DMN3025LSS-13
唯样编号 A-FDS6612A A36-DMN3025LSS-13-0
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@8.4A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 641 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13.2 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 8.4A 7.2A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.6nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 4,992
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.8891
100+ :  ¥0.6851
1,250+ :  ¥0.5792
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4404B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 12V 8.5A 3.1W 24mΩ@10V

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0956
750: ¥0.9141
1,500: ¥0.8305
3,000: ¥0.7689
6,250 对比
DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 7.2A(Ta)

¥0.8891 

阶梯数 价格
60: ¥0.8891
100: ¥0.6851
1,250: ¥0.5792
4,992 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
4,688 对比
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V

¥1.0208 

阶梯数 价格
50: ¥1.0208
100: ¥0.7854
1,250: ¥0.6655
2,500: ¥0.616
3,552 对比
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55℃~150℃

¥0.5832 

阶梯数 价格
90: ¥0.5832
200: ¥0.4751
1,500: ¥0.4329
3,000: ¥0.4037
3,345 对比

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