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FDS6612A  与  DMG4466SSS-13  区别

型号 FDS6612A DMG4466SSS-13
唯样编号 A-FDS6612A A36-DMG4466SSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@8.4A,10V 33mΩ
上升时间 - 7.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.42W
栅极电压Vgs ±20V 25V
典型关闭延迟时间 - 14.6ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-SOIC SO
连续漏极电流Id 8.4A 10A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® DMG4466
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 15V 478.9pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.6nC @ 5V 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 3.1ns
典型接通延迟时间 - 2.9ns
库存与单价
库存 0 393
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.111
100+ :  ¥0.7381
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
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AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

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70: ¥0.7975
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阶梯数 价格
50: ¥1.243
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1,250: ¥0.8063
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50: ¥1.111
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AO4404B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
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