FDS6612A 与 DMG4466SSS-13 区别
| 型号 | FDS6612A | DMG4466SSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS6612A | A3-DMG4466SSS-13 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 1.42W |
| 上升时间 | - | 7.9ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 25V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 14.6ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO |
| 连续漏极电流Id | 8.4A | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | DMG4466 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 560pF @ 15V | 478.9pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.6nC @ 5V | 17nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 3.1ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 2.9ns |
| 导通电阻Rds(On) | 22m Ohms@8.4A,10V | 33mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8988
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21,859 | 对比 | ||||||||||
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DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.2A(Ta) |
￥0.8538
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4,986 | 对比 | ||||||||||
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AO4466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V |
￥1.1472
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥0.4979
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2,627 | 对比 | ||||||||||
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DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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