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FDS5672  与  DMT6012LSS-13  区别

型号 FDS5672 DMT6012LSS-13
唯样编号 A-FDS5672 A36-DMT6012LSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 10 mOhms PowerTrench Mosfet SOIC-8 MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10m Ohms@12A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1522 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 22.2 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 12A 10.4A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 7,829
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.65
100+ :  ¥1.265
1,250+ :  ¥1.111
2,500+ :  ¥1.045
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS5672 ON Semiconductor 功率MOSFET

12A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 10m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 12A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 10.4A(Ta)

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
7,829 对比
IRF7855PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥11.8535 

阶梯数 价格
20: ¥11.8535
50: ¥7.321
100: ¥6.7556
300: ¥6.3723
500: ¥6.2957
1,000: ¥6.2382
1,695 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
300: ¥9.3141
500: ¥9.2375
1,000: ¥9.18
1,250 对比

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