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FDS5670  与  IRF7493TRPBF  区别

型号 FDS5670 IRF7493TRPBF
唯样编号 A-FDS5670 A36-IRF7493TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@10A,10V 15mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 60V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 10A 9.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 15V 1510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V 53nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.785
100+ :  ¥3.993
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比

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