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FDS5670  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 FDS5670 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-FDS5670 A33-RS6L120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@10A,10V 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 10A 120A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 1,830
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥69.4629
10+ :  ¥15.7344
50+ :  ¥10.9048
100+ :  ¥10.3107
500+ :  ¥9.9083
1,000+ :  ¥9.822
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.785 

阶梯数 价格
20: ¥4.785
100: ¥3.993
100 对比
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7493PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
AO4266 AOS 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比

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