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FDS5670  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 FDS5670 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-FDS5670 A3-RS6L120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@10A,10V 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 10A 120A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF7493PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Tc) 15mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 80V 9.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4266 AOS 功率MOSFET

10A(Ta) N-Channel ±20V 15 mΩ @ 10A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@5.6A,10V N-Channel 80V 9.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
500: ¥9.3141
1,000: ¥9.2375
1,530 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比

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