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FDS5670  与  SI4062DY-T1-GE3  区别

型号 FDS5670 SI4062DY-T1-GE3
唯样编号 A-FDS5670 A-SI4062DY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@10A,10V 4.2mΩ
上升时间 - 6ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 7.8W
Qg-栅极电荷 - 40nC
栅极电压Vgs ±20V 1.4V
典型关闭延迟时间 - 34ns
正向跨导 - 最小值 - 80S
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 10A 32.1A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® SI4
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.6V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 15V 3175pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 0 40
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@5.6A,10V N-Channel 80V 9.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7493PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Tc) 15mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 80V 9.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
SI4062DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

32.1A 7.8W 4.2mΩ 60V 1.4V SO-8 -55°C~150°C

暂无价格 40 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥25.6617 

阶梯数 价格
6: ¥25.6617
10: ¥16.7788
50: ¥11.6331
100: ¥10.9911
300: ¥10.5599
500: ¥10.4736
1,000: ¥10.4161
1,039 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥13.4537 

阶梯数 价格
20: ¥13.4537
50: ¥8.308
100: ¥7.666
300: ¥7.2348
500: ¥7.1485
534 对比

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