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FDS5351  与  DMN6040SSS-13  区别

型号 FDS5351 DMN6040SSS-13
唯样编号 A-FDS5351 A36-DMN6040SSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 35 mOhm SMT PowerTrench Mosfet SOIC-8 MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35m Ohms@6.1A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 5W(Ta) 1.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@4.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1287 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 22.4 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 6.1A 5.5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 4,435
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.441
100+ :  ¥1.111
1,250+ :  ¥0.9383
2,500+ :  ¥0.869
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS5351 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6.1A(Ta) ±20V 5W(Ta) 35m Ohms@6.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 6.1A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.5A(Ta)

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
1,250: ¥0.9383
2,500: ¥0.869
4,435 对比
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.5A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.5A(Ta)

暂无价格 0 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥11.8535 

阶梯数 价格
20: ¥11.8535
50: ¥7.321
100: ¥6.7556
300: ¥6.3723
500: ¥6.2957
1,000: ¥6.2382
1,745 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
300: ¥9.3141
500: ¥9.2375
1,000: ¥9.18
1,410 对比

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