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FDS4675  与  IRF7240PBF  区别

型号 FDS4675 IRF7240PBF
唯样编号 A-FDS4675 A-IRF7240PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13m Ohms@11A,10V 15mΩ@10.5A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 11A 10.5A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4350pF @ 20V 9250pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9250pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4675 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±20V 2.4W(Ta) 13m Ohms@11A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 11A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4485 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
750: ¥1.111
1,500: ¥1.0516
3,000: ¥1.001
37,456 对比
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
2,015 对比
IRF7240 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-40V SO-8 25mΩ P-Channel 20V -8.6A

暂无价格 0 对比
AO4485L AOS 功率MOSFET

P-Channel 40V 10A(Ta) ±20V 1.7W(Ta) 15mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7240PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@10.5A,10V P-Channel 40V 10.5A 8-SO

暂无价格 0 对比

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