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FDS4675  与  FDS4141  区别

型号 FDS4675 FDS4141
唯样编号 A-FDS4675 A-FDS4141
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8 P-Channel 40 V 13 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 13m Ohms@11A,10V 13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta) 5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOIC
连续漏极电流Id 11A 10.8A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 PowerTrench® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4350pF @ 20V 2670pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V 49nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2670pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4675 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±20V 2.4W(Ta) 13m Ohms@11A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 11A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4485 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.848
750: ¥1.65
1,500: ¥1.562
3,000: ¥1.474
5,339 对比
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
750: ¥1.111
1,500: ¥1.0439
1,984 对比
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.5mΩ@11A,10V P-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS4141 ON Semiconductor 功率MOSFET

10.8A(Ta) ±20V 5W(Ta) 13m Ohms@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 10.8A 13 毫欧 @ 10.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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