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FDS4480  与  RSS065N03TB  区别

型号 FDS4480 RSS065N03TB
唯样编号 A-FDS4480 A-RSS065N03TB
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 40 V 12 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 12m Ohms@10.8A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 430pF @ 10V
栅极电压Vgs +30V,-20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-SOIC 8-SOP
连续漏极电流Id 10.8A -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1686pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 6.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 6.1nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4480 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RSS065N03TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 对比
IRF7468PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7468TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7468 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 对比

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