| 型号 | FDS4470 | AO4480 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS4470 | A36-AO4480 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 100 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9mΩ@12.5A,10V | 11.5mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | Yes | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 15.5mΩ | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 4.8 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | +30V,-20V | 20V | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 3.5 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12.5A | 14A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1600 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 31 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 13.2 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3.1W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 33 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 3 | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2659pF @ 20V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 63nC @ 10V | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 320 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 10.5 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 11,590 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDS4470 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4480 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 40V 20V 14A 3.1W 11.5mΩ@10V |
¥2.046
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11,590 | 对比 | ||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
¥2.618
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2,390 | 对比 | ||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS6680A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |