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FDS4435BZ  与  AO4419  区别

型号 FDS4435BZ AO4419
唯样编号 A-FDS4435BZ-4 A36-AO4419-2
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 125
Td(off)(ns) - 26
功率耗散Pd 2.5W 3.1W
ESD Diode - No
漏源极电压Vds -30V -30V
Rds On(Max)@4.5V - 35mΩ
Qrr(nC) - 25
VGS(th) - -2.5
Qgd(nC) - 4.6
栅极电压Vgs ±25V 20V
FET类型 P-Channel P-Channel
Td(on)(ns) - 10
封装/外壳 SO-8 SO-8
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id -8.8A -9.7A
Ciss(pF) - 1040
导通电阻Rds(On) 20mΩ@-8.8A,-10V 20mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11.5
Coss(pF) - 180
Qg*(nC) - 9.6
库存与单价
库存 0 1
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4435BZ ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@-8.8A,-10V ±25V SO-8 -55°C~150°C -8.8A -30V 2.5W P-Channel

暂无价格 0 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.2 

阶梯数 价格
50: ¥1.2
200: ¥0.9252
1,500: ¥0.804
3,000: ¥0.7476
42,180 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥1.752 

阶梯数 价格
30: ¥1.752
100: ¥1.344
750: ¥1.1244
1,500: ¥1.0224
3,000: ¥0.948
7,091 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 2,500 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,469 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 对比

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