FDS4435BZ 与 DMG4435SSS-13 区别
| 型号 | FDS4435BZ | DMG4435SSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS4435BZ-4 | A3-DMG4435SSS-13 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W | 2.5W |
| 上升时间 | - | 12.7ns |
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V |
| Qg-栅极电荷 | - | 35.4nC |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±25V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 44.9ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 22S |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | -8.8A | 7.3A |
| 系列 | - | DMG4435 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1614pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35.4nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,20V |
| 下降时间 | - | 22.8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 8.6ns |
| 导通电阻Rds(On) | 20mΩ@-8.8A,-10V | 16mΩ@11A,20V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS4435BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@-8.8A,-10V ±25V SO-8 -55°C~150°C -8.8A -30V 2.5W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.2
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42,180 | 对比 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.752
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7,091 | 对比 | ||||||||||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,469 | 对比 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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