| 型号 | FDS4435BZ | AO4419 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS4435BZ-4 | A-AO4419 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 125 | ||
| Td(off)(ns) | - | 26 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@-8.8A,-10V | 20mΩ@10V | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| 漏源极电压Vds | -30V | -30V | ||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 35mΩ | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 3.1W | ||
| Qrr(nC) | - | 25 | ||
| VGS(th) | - | -2.5 | ||
| Qgd(nC) | - | 4.6 | ||
| 栅极电压Vgs | ±25V | 20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| Td(on)(ns) | - | 10 | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| 连续漏极电流Id | -8.8A | -9.7A | ||
| Ciss(pF) | - | 1040 | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 11.5 | ||
| Coss(pF) | - | 180 | ||
| Qg*(nC) | - | 9.6 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 10,000 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS4435BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@-8.8A,-10V ±25V SO-8 -55°C~150°C -8.8A -30V 2.5W P-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 当前型号 | ||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
|
AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
|
2,667 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
|
0 | 对比 | ||||||||||||
|
AUIRF7416QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7406TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 45mΩ@2.8A,10V P-Channel 30V 5.8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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