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FDS3672  与  IRF7495TRPBF  区别

型号 FDS3672 IRF7495TRPBF
唯样编号 A-FDS3672-1 A33-IRF7495TRPBF-0
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V 22mΩ@4.4A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 7.5A 7.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2015pF @ 25V 1530pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V 51nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1530pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.9685
50+ :  ¥7.4839
100+ :  ¥6.9281
500+ :  ¥6.5544
1,000+ :  ¥6.4778
2,000+ :  ¥6.4203
4,000+ :  ¥6.3915
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF7495TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥11.9685 

阶梯数 价格
20: ¥11.9685
50: ¥7.4839
100: ¥6.9281
500: ¥6.5544
1,000: ¥6.4778
2,000: ¥6.4203
4,000: ¥6.3915
4,000 对比
IRF7495TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥12.0835 

阶梯数 价格
20: ¥12.0835
50: ¥7.5606
100: ¥6.9952
500: ¥6.6215
1,000: ¥6.5448
2,000: ¥6.4873
3,672 对比
IRF7853TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.62 

阶梯数 价格
20: ¥4.62
100: ¥3.3033
100 对比
IRF7490PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7853TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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