首页 > 商品目录 > > > > FDS3672代替型号比较

FDS3672  与  IRF7495PBF  区别

型号 FDS3672 IRF7495PBF
唯样编号 A-FDS3672-1 A-IRF7495PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V 22mΩ@4.4A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 7.5A 7.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2015pF @ 25V 1530pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V 51nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1530pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4454 AOS 功率MOSFET

6.5A(Ta) N-Channel ±25V 36 mΩ @ 6.5A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IRF7853TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@8.3A,10V N-Channel 100V 8.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7495 Infineon  数据手册 功率MOSFET

22mΩ 100V SO-8 N-Channel 20V 4.6A

暂无价格 0 对比
IRF7495PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4.4A,10V N-Channel 100V 7.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMT10H025SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 100V 7.4A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售