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FDS3590  与  FDS3512  区别

型号 FDS3590 FDS3512
唯样编号 A-FDS3590 A-FDS3512
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 39 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39m Ohms@6.5A,10V -
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
连续漏极电流Id 6.5A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS3590 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 39m Ohms@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 80V 6.5A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.5A(Ta)

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
1,250: ¥0.9383
2,500: ¥0.869
3,835 对比
FDS3512 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7488TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@3.8A,10V N-Channel 80V 6.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.5A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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